 |
Ученые ЛЭТИ предложили технологию изучения материалов для новых типов микроэлектроники
Подавляющее большинство современных систем для обработки и передачи данных работает на электричестве. Тем не менее, в последние десятилетия электроника приблизилась к пределу своих возможностей по целому ряду ключевых характеристик, среди которых легкость и компактность. Снижение веса и габаритов устройств открывает широкие перспективы для развития самых разных отраслей промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры СВЧ-диапазона, а также для разработки бытовой техники: компьютеров, планшетов, беспилотников, мобильных телефонов и так далее.
Однако миниатюризация электроники требует и изменения физических принципов, на которых действуют устройства. Одной из наиболее перспективных сегодня областей науки для подобного технологического перехода является фотоника: она изучает способы переноса и обработки сигналов при помощи частиц света – фотонов. В свою очередь, практическое применение принципов фотоники ставит перед учеными задачу разработки новых типов полупроводниковых материалов и методик для изучения их свойств.
«Материалы для фотонной электроники, которые мы изучаем – это монокристаллы высокоэффективных полупроводников, на основе которых можно создавать компактные устройства площадью 1 кв. мм и даже меньше. Однако для их прикладного применения необходимо изучить широкий спектр характеристик, что крайне сложно сделать ввиду малого размера образцов. Поэтому для исследования таких материалов мы используем уникальное оборудование – полуавтоматическую зондовую станцию, которая позволяет проводить исследования прямо на кристалле размером в два человеческих волоса». - Директор департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Александр Анатольевич Семенов
Зондовая станция состоит из специального «столика», на котором размещаются образцы монокристаллов. Затем с помощью различных зондов на исследуемый материал можно воздействовать оптическими сигналами или постоянным электрическим током. Отклик материала фиксируется датчиками станции и позволяет ученым с высокой точностью фиксировать основные параметры образцов (например, амплитуда, фаза, временная задержка сигнала в различных условиях).
С помощью данного оборудования ученые ЛЭТИ изучили характеристики двух основных типов полупроводниковых материалов, перспективных для создания микроэлектронных устройств – арсенида галия и нитрида кремния, которые были предоставлены Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе РАН – партнером ЛЭТИ.
«Предложенная технология позволит в будущем скорректировать параметры синтеза материалов для повышения их качества. Поэтому она имеет важное значение для нашего стратегического проекта «Наногетероструктурная электроника, фотоника и радиофотоника» в рамках реализации программы «Приоритет 2030». Его цель – совместно с индустриальными партнерами создать отечественную фотонную компонентную базы, которая ляжет в основу новых классов компьютеров, лидаров, систем связи и телекоммуникаций, в том числе для условий космоса». - Директор департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Александр Анатольевич Семенов
Развитие компонентной базы для устройств на принципах фотоники реализуется в рамках стратегического проекта «Наногетероструктурная электроника, фотоника и радиофотоника» программы развития СПбГЭТУ «ЛЭТИ» «Приоритет 2030». Целью проекта является разработка материалов для фотоники на основе карбида кремния и алмазов, а также получение высокоэффективных полупроводниковых композитных соединений – наногетероструктур.
Индустриальными и техническими партнерами проекта выступают ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, РФЯЦ-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, РАСУ (входит в ГК «Ростатом») и другие компании.
Контактное лицо: Дарья Бодак
Компания: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Добавлен: 21:35, 16.01.2023
Количество просмотров: 339
Страна: Россия
| Молодые учёные ХГУ создают новые технологии для профориентации, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 10:00, 25.11.2025, Россия88 |
| Команда под руководством аспиранта Хакасского госуниверситета Вячеслава Осипова стала победителем конкурса грантов Фонда содействия инновациям «Старт-1» и получит пять млн рублей на реализацию своего технологического проекта. |
| Преподавателей высшей школы чествовали в ХГУ, Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 20:40, 21.11.2025, Россия467 |
| Накануне в Хакасском госуниверситете прошёл День преподавателя высшей школы, который является значимым событием для педагогического сообщества всей страны. Этот профессиональный праздник отмечает важный вклад преподавателей в воспитание молодого поколения и подготовку квалифицированных специалистов. |
| Стартовал полуфинал Чемпионата Мира по русскому языку, ФГУП ИНТЕРОБРАЗОВАНИЕ, 14:32, 20.11.2025, Россия229 |
| Стартовал полуфинальный этап Чемпионата мира по русскому языку для иностранцев 2025. В полуфинал вышли двадцать команд, отобранных экспертами по итогам 1/4 финала: по четыре команды из дивизионов «Азия и Океания», «Ближнее зарубежье», «Африка», «Европа» и «Америка». |
| Преподаватель Алтайского ГАУ отмечена Благодарностью Минобрнауки РФ, ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 22:17, 18.11.2025, Россия362 |
| В Москве на площадке Общественной палаты РФ завершила работу VII Конференция Российского союза сельской молодежи, участие в котором приняла к.с.-х.н., доцент кафедры водопользования и мелиорации Алтайского государственного аграрного университета Ирина Бицошвили |
|
|
