|
АлтГУ разрабатывает модель усовершенствованных полупроводников
Научный коллектив Института химии и химико-фармацевтических технологий Алтайского государственного университета приступил к реализации проекта под названием «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений». В команду исследователей, которую возглавила доцент кафедры физической и неорганической химии ИХиХФТ, кандидат физико-математических наук, доцент Юлия Владимировна Терентьева, вошли студенты и аспиранты института, которые занимаются исследованием полупроводниковых систем, в том числе и легированных 3d- металлами. Проект ученых института химии и химико-фармацевтических технологий АлтГУ нацелен на создание модели насыщения полупроводников 3d- металлами. «Наша задача определить то количество 3d- металла, которое будет оптимальным для появления новых свойств полупроводников, поскольку их недостаток не даст желаемого результата, а от избытка полупроводниковая решетка может вообще разрушиться. Уже проведенные нами компьютерные эксперименты показали хорошие результаты, сопоставимые с практическими экспериментами, проводимыми в различных научных институтах страны, - подчеркнула Юлия Владимировна. – Мы устанавливаем содержание легирующего 3d-металла, которое позволяет приобрести исходному полупроводнику магнитные свойства, без потери полупроводниковых свойств». Ученые АлтГУ занимаются фундаментальным исследованием полупроводниковых соединений, результаты которого могут быть в дальнейшем применены для создания новых элементов телефонов, компьютеров, телевизоров и другой электроники, вплоть до космической отрасли. Так, например, если обычный полупроводник можно использовать в лазерах, микросхемах и различной электронике, то легированные 3d-металлами могут быть использованы в качестве элементов приборов спинтроники, использующей еще и магнитные свойства полупроводников. «До нас подобных теоретических исследований пока никто не проводил и поэтому выполняемые нами компьютерное моделирование и квантово-механический расчет позволяют предугадывать свойства той системы, которую мы исследуем. А поскольку наши результаты согласуются с результатами натурных экспериментов, то итоги нашей работы могут стать очередным шагом в фундаментальном исследовании наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений, на основе полупроводниковых матриц», - подытожила руководитель исследовательской группы. Добавим, что проект «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений» вошел в число победителей конкурса внутриуниверситетских грантов для молодых научно-педагогических работников АлтГУ, который проходил в опорном вузе Алтайского края с марта по апрель 2020 года.
Контактное лицо: Алексей Григорьевич Козерлыга
Компания: Алтайский государственный университет
Добавлен: 15:56, 23.07.2020
Количество просмотров: 290
Страна: Россия
В Алтайском ГАУ прошла онлайн-викторина «Многообразие мировых культур», ФГБОУ ВО "Алтайский государственный аграрный университет", 04:15, 17.11.2024, Россия56 |
В преддверии празднования Международного дня толерантности, который отмечается во всем мире 16 ноября, кафедра иностранных языков Алтайского государственного аграрного университета провела для студентов онлайн-викторину «Многообразие мировых культур». |
11 компаний начали путь к изменениям!, "ЦО "Деловая инициатива", 02:55, 17.11.2024, Россия52 | |
В очередной раз география участников стала еще шире. Экспресс-курс "Управление современной компанией" объединил предпринимателей из Оренбурга, Орска, Соль-Илецка, Новокузнецка и Владивостока! |
Тысячи учащихся посетили предприятия холдинга «Швабе», Холдинг "Швабе", 19:06, 08.11.2024, Россия96 |
Семь предприятий холдинга «Швабе» Госкорпорации Ростех посетили свыше 2000 учащихся из Москвы, Подмосковья, Вологды, Красноярска, Новосибирска и Екатеринбурга. В рамках Всероссийской акции «Неделя без турникетов» школьники и студенты узнали о том, как организована работа на крупных промышленных объектах и познакомились со сложными производственными процессами. |
|
|